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除了低功耗与低成本FD-SOI还有什么优势?
作者:体育竞猜唯一官网 来源:体育竞猜唯一官网 点击: 发布日期: 2021-06-05 00:29
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许多年以后大家写成半导体材料发展历程得话,28纳米连接点一定是笔酣墨饱的一笔,它身后有很多的小故事。在2016FD-SOI社区论坛上,复旦微电子高级工程师沈磊如是说。...
本文摘要:许多年以后大家写成半导体材料发展历程得话,28纳米连接点一定是笔酣墨饱的一笔,它身后有很多的小故事。在2016FD-SOI社区论坛上,复旦微电子高级工程师沈磊如是说。

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许多年以后大家写成半导体材料发展历程得话,28纳米连接点一定是笔酣墨饱的一笔,它身后有很多的小故事。在2016FD-SOI社区论坛上,复旦微电子高级工程师沈磊如是说。

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确实,28纳米之后逻辑性工艺刚开始分岔:立体式工艺FinFET因为获得intel与tsmc的主打沦落流行,14/16纳米早已量产,10纳米工艺也是有很有可能在17年量产;体硅工艺中止在28纳米,要想降低处理速度而又对FinFET项目成本望而生畏的半导体公司独辟蹊径,刚开始充分考虑根据三维或是2.5DPCB来承袭摩尔定律;根据两年的发展趋势,平面图工艺FD-SOI生态圈逐步成熟,CEA-Leti的科学研究结果显示FD-SOI工艺至少能够承袭到7纳米,这随着着FD-SOI并不是一个穷连接点工艺路经,工程设计公司与IP企业从坦然并转至参与,GlobalFoundries(格罗方德)答复现阶段有50多家工程设计公司在运用该企业的22纳米FD-SOI工艺进行设计方案。  功耗性能提升素来是FD-SOI工艺所着重强调的优点。依据三星获得的数据信息,相比体硅工艺(28纳米HKMG工艺),28纳米FD-SOI功耗相当于体硅工艺的70%,特性要达到16%。

格罗方德将在17年量产的22FDX(22纳米FD-SOI工艺)抵制极低工作电压经营,只需0.4V工作电压就必须抵制或运算,与28纳米HKMG工艺相比,功耗降低了70%,溢电流量仅有大概1pA/um。在本次社区论坛上引起强烈反响的sonyGPS处理芯片CXD5600即应用28纳米FD-SOI工艺,因为在功耗层面的出色展示出,早就被华米作为其新的开售的AMAZFIT运动表里边。


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